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多光子非线性量子干涉首次实现 为新型量子态制备等应用奠定基础******
科技日报合肥1月16日电 (记者吴长锋)记者16日从中国科学技术大学获悉，该校郭光灿院士团队任希锋研究组与国外同行合作，基于光量子集成芯片，在国际上首次展示了四光子非线性产生过程的干涉。相关成果日前发表在光学权威学术期刊《光学》上。
量子干涉是众多量子应用的基础，特别是近年来基于路径不可区分性产生的非线性干涉过程越来越引起人们的关注。尽管双光子非线性干涉过程已经实现了20多年，并且在许多新兴量子技术中得到应用，直到2017年，人们才在理论上将该现象扩展到多光子过程，但实验上由于需要极高的相位稳定性和路径重合性，一直未获得新进展。光量子集成芯片，以其极高的相位稳定性和可重构性逐渐发展成为展示新型量子应用、开发新型量子器件的理想平台，也为多光子非线性干涉研究提供了实现的可能性。
任希锋研究组长期致力于硅基光量子集成芯片开发及相关应用研究并取得系列重要进展。在前工作基础上，研究组通过进一步将多光子量子光源模块、滤波模块和延时模块等结构片上级联，在国际上首次展示了四光子非线性产生过程的相干相长、相消过程，其四光子干涉可见度为0.78。而双光子符合并未观测到随相位的明显变化，这同理论预期一致。整个实验在一个尺寸仅为3.8×0.8平方毫米的硅基集成光子芯片上完成。
这一成果成功地将两光子非线性干涉过程扩展到多光子过程，为新型量子态制备、远程量子计量以及新的非局域多光子干涉效应观测等应用奠定了基础。审稿人一致认为这是一个重要的研究工作，并给出了高度评价：该芯片设计精良，包含多种集成光学元件，如纠缠光子源、干涉仪、频率滤波器/组合器；这项工作推动了集成光子量子信息科学与技术研究领域的发展。
沙巴举行“二战”英烈祭奠仪式******
中新网哥打基纳巴卢1月21日电 (陈悦 魏源)纪念沙巴抗日烈士的“二战”英烈祭奠仪式21日在马来西亚沙巴哥打基纳巴卢神山游击队纪念公园举行。
中国驻哥打基纳巴卢总领事黄世芳，沙巴州首席部长哈芝芝代表、副首席部长兼农业渔业部长杰菲里，沙巴州政商军警各界代表，驻马外交领事和军方机构代表及烈士遗属200余人出席活动。
黄世芳总领事向烈士纪念碑鞠躬致意 哥打基纳巴卢总领馆 摄清晨的神山游击队纪念公园内苍翠挺拔、庄严肃穆，黄总领事将花圈摆放在纪念碑前，并上前仔细整理花圈缎带，鞠躬致意，寄托对“二战”牺牲英烈的深切缅怀和崇高敬意。
沙巴州各界代表，驻马外交领事和军方机构代表及烈士遗属200余人出席活动 哥打基纳巴卢总领馆 摄“二战”期间，沙巴人民及当地华侨为反抗日军侵略和占领进行了英勇斗争，其中以沙巴华侨郭益南等人率领的“神山游击队”影响最大。游击队于1943年发起抵抗运动并重创日军，后因寡不敌众先后被俘。1944年1月21日，176名游击队员遭日军残忍杀害，其中绝大多数为华侨。1949年，哥打基纳巴卢市政府于游击队员遇难地设立纪念碑，并于每年1月21日举办祭奠仪式。(完)
（文图：赵筱尘 巫邓炎） [责编：天天中] 阅读剩余全文（）  视觉焦点
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